Výrobca Číslo produktu:
IXTY1R4N60P TRL
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTY1R4N60P TRL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12821663
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTY1R4N60P TRL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
Polar™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
140 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IXTY1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IXTY1R4N60PTRL
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TSM1NB60CP ROG
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8702
ČÍSLO DIELU
TSM1NB60CP ROG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.21
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FQD1N60CTM
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1490
ČÍSLO DIELU
FQD1N60CTM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFL100N50P
MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
IXFR44N50Q3
MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
IXTT96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO268
